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【東芝ショート技術紹介】次世代パワーデバイス

公開日：2025/05/16

説明

東芝の総合研究所では、次世代パワーデバイスの開発に注力しています。特に、シリコンに替わるワイドバンドギャップ材料であるSiC(炭化珪素)やGaN(窒化ガリウム)を利用したパワー半導体デバイスの研究が進められています。

技術的には、これらの材料を用いることで電力損失を大幅に低減し、インバータや電源の小型化・高効率化を実現します。例えば、SiC-MOSFETチップを適用したモジュールは、低抵抗と高速スイッチングにより、大幅な損失低減を実現します。また、GaN-MOSFETは、MOS型デバイスの特徴を活かし、低損失と良好な使い勝手の両立を実現します。

これらの技術は、情報機器電源、電気自動車、再生可能エネルギーの活用など、エネルギー効率向上が求められる分野での応用が期待されています。

東芝総合研究所（小向地区）
https://www.global.toshiba/jp/technology/corporate/rdc.html

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コンテンツ提供者

株式会社東芝

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分野

半導体ツールと機器

ジャンル

GX(グリーントランスフォーメーション)

キーワード

パワーデバイスパワーエレクトロニクス SiC

学齢

高校生大学・社会人